2N7002LT1G N-арнасы 60В 115мА 2,5В 250уА 7,5Ω 500мА,10В 225мВт SOT-23(SOT-23-3) MOSFETs RoHS

Mfr. Бөлім: 2N7002LT1G
Өндіруші: ON Semiconductor
Пакет: SOT-23(SOT-23-3)
Сипаттама: MOSFET 60V 115mA N-арна
Деректер парағы: Бізбен хабарласыңыз.

Өнімнің егжей-тегжейі

Атрибут	Мән
Өндіруші:	ON Жартылай өткізгіш
Өнім санаты:	MOSFET
RoHS:	Егжей
Технология:	Si
Орнату стилі:	SMD/SMT
Пакет/қорап:	СОТ-23-3
Транзистордың полярлығы:	N-арна
Арналар саны:	1 арна
Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:	60 В
Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:	115 мА
Rds On - ағызу көзіне қарсылық:	7,5 Ом
Vgs - қақпа көзі кернеуі:	- 20 В, + 20 В
Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:	1 В
Ең төменгі жұмыс температурасы:	- 55 С
Максималды жұмыс температурасы:	+ 150 С
Pd - қуаттың шығыны:	300 мВт
Арна режимі:	Жақсарту
Қаптама:	Кесу таспасы
Қаптама:	MouseReel
Қаптама:	Ролик
Конфигурация:	Бойдақ
Биіктігі:	0,94 мм
Ұзындығы:	2,9 мм
Өнім:	MOSFET шағын сигналы
Серия:	2N7002L
Транзистор түрі:	1 N-арна
Түрі:	MOSFET
Ені:	1,3 мм
Бренд:	ON Жартылай өткізгіш
Форвард өткізгіштік - Мин:	80 мС
Өнім түрі:	MOSFET
Зауыттық буманың саны:	3000
Ішкі санат:	MOSFETs
Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:	40 нс
Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:	20 нс
Бірлік салмағы:	0,000282 унция